لایه نشانی به روش رسوب شیمیایی بخار

لایه نشانی به روش رسوب شیمیایی بخار

لایه نشانی به روش رسوب شیمیایی بخار، با حرارت دادن ماده اوليه ( CVD ) در روش رسوب دهى شيميايى بخار تحت اتمسفرهاى مختلف گازى و تجزيه شيميايى ماده، لايه اتمى از ماده اوليه بر روى زير لايه چگال شده و لايه نازك توليد مى شود.
پوشش توليدى در اين روش دانسيته و خلوص بالايى دارد. فيلم جامد می تواند به صورت آمورف، چند بلورى و يا تك بلور با خواص ويژه روى زيرپايه مناسب تهيه شود.
جوانه زنى در فاز گاز و كنترل رشد ذرات از مهم ترين فاكتورهاى فرآيند رشد است. توزيع اندازه ذرات توسط تعداد جوانه هاى تشكيل شده در راكتور و غلظت تراكم مواد، كنترل مى شود.